台积电在其2022年北美技术研讨会上概述了其最新的半导体技术

台积电在其2022年北美技术研讨会上概述了其最新的半导体技术。N2实际上是“尖端”N3和N3EFINFLEX架构的下一代产品，据传将在2023年占据主导地位的备受期待的3纳米(nm)处理器将基于该架构。然而，台积电声称N2将再次更快，具有更高的功率效率。

台积电声称，它仍准备在2022年之前将其用于消费级设备的3nm极致芯片组架构投入量产，尽管现在已经接近下半年，而且还没有真正做到这一点。话又说回来，由于N2继任者的提前预览，它很快启动的可能性得到了另一个提升。

N2现在预计将在N3及其迭代升级N3E、N3P和N3X停止的地方接手，这可能要到2025年。因此，在此之前，台积电发布的最高端芯片组可能是3nm。该公司现在还公开确认所有这些都将基于FINFLEX晶体管。

顾名思义，它们是FinFET的一种形式，而三星现在被吹捧为转向GAAFET，而不是与其竞争的3nm产品。然而，台积电声称，这种差异将使其能够生产出更多样化的尖端芯片类型。

制造商显然能够生产具有多种翅片配置的晶圆：3-2、2-2和2-1，它们提供不同的密度，因此，性能与功率使用的不同平衡：例如，N3E3-2是与N52-2相比，它的速度提高了33%，而能耗降低了12%，而2-1的相同数字分别为+11%和-30%。

正如台积电所暗示的那样，这增​​加了在最终推出后更快地为更多用例提供3nm可访问性的潜力-或者，在相同的新高端处理器上升级内核以提高性能或提高能效，这结果可能会更加灵活和动态。

此外，由于N3减少了占用空间，还可能有更多内核。另一方面，台积电现在刚刚转过身来，确认N2将使用“纳米片”工艺技术制造，因此很有可能转向GAAFET。

由此产生的2nm芯片被吹捧为在相同功率下比N3快10%到15%，或者在相同速度下节省25%到30%更多功率。此外，台积电还计划在此基础上推出N2的“高性能变体”。